三星高管偷卖给中国的14/10nm工艺:到底是怎样的机密?(1)

三星14nm工艺非常卓越,GF、AMD等厂商对其非常依赖。掌握了这项工艺,甚至更先进的10nm工艺,也就掌握了未来芯片行业的话语权。

一直以来,三星在半导体工艺方面技术精湛,一路高歌猛进,虽然在这方面英特尔处于绝对的王者地位,但三星的突起还是令其感到了不小的压力。

14/10nm究竟是什么?

这还得从处理器的基本组成说起。一般来说,一颗微处理器是由不同材料制成的许多"层"堆叠起来的电路,里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。

这些微小元件用肉眼很难看清楚,因为它们的尺寸非常之小,并且数量之多,密集的让人难以想象。

这些小元件整齐的排列在一块"板子"上,它们相互之间都有缝隙,这个缝隙实质就是元件与元件之间的距离,这个距离一般用毫微米进行衡量。后来纳米概念诞生后,就一直沿用"纳米"(nanometers)来描述这个距离。

也就是说,14/10nm其实就是芯片上元件间的间距,这个间距越小,排列在芯片上的元件就越多。这意味着性能更加强大,能效表现更为优异。

这也是英特尔、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

14nm的诞生

在2014年,当大部分厂商还在研究22nm的FinFET工艺时,英特尔已经推进到了14nm工艺。在芯片行业的推进上,英特尔可以说是独步天下。

从2007年的45nm工艺,到2009年的32nm工艺,到2011年的22nm工艺,再到2014年的14nm工艺,无与伦比的先进制造工艺,让全球厂商为之眼红。

然而,看似风光的英特尔,在推进过程中也遇到不少难题。据英特尔称,他们本该2013年底时就会推出14nm的测试芯片,并于2014年开始量产,但实际比原推进计划晚了几个季度。由于14nm工艺良品率初期低得要命,直到2014年第二季度末才达到量产标准。

三星的14nm工艺

在2014年底,也就是英特尔的14nm工艺推出没几个月,三星就直接宣布进入14nm工艺。

这前所未有的举动在业界瞬间轰动了起来,甚至连英特尔都坐不住了。要知道,在这之前,英特尔的制造工艺在业内是处于绝对领先的地位的。

三星此举让同为竞争对手的台积电也自愧不如,但随后又爆出猛料,称台积电前员工加入三星后,将自家的28nm工艺泄露给了三星,这对于三星14nm工艺进度起了至关重要的作用。

这样说也无可厚非,毕竟三星可是跳过了20nm,直接进入了14nm工艺,并且据台积电称,三星的14nm工艺带有台积电的技术特性。

看来,三星的14nm工艺并不纯正。

除此之外,台积电高管还爆料,最早采用FinFET的16纳米工艺,原本计划跟随英特尔,称为20纳米FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统电晶体工艺差不多,只是换上全新的FinFET电晶体。

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